首先IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

其功率模块采用双功率模块设计，即每个模块由两个开关单元组成。为保证功率IGBT在高频、高压、大电流下工作，要设计可靠的驱动电路。

随着可控硅模块的使用时间一长，难免会出现可控硅模块发热的现象，为了不使得温度的上升造成可控硅运行上的影响，给可控硅选择合适的散热器非常必要。然而，市面上的散热器种类有很多，选择什么样的合适呢？

可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两晶闸管反向连接而成。